胡延年
【姓名】 胡延年
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 采样,难熔金属,串级调速,硅化物,RG-MOSFET,微机控制,逆变器,场板,磁控溅射,晶阐管,I-V特性,硅化反应,保护环,穿通型,沟道,电流特性,薄膜特性,时间常数,击穿电压,耗尽层宽度,硬件,定...
【工作单位】 辽宁大学
【曾工作单位】 辽宁大学;
【所在地域】 辽宁沈阳
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/6 0 0 2 4 601
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]孙立红;胡延年;.湿度变送器信号调理电路的设计[J]辽宁大学学报(自然科学版).2008,(04)
[2]徐伟,胡延年,庄雅娜.微机控制的串级调速系统[J]天津冶金.1997,(04)
[3]胡延年.难熔金属及硅化物薄膜特性研究[J]半导体情报.1998,(01)
[4]胡延年.VDMOS结构击穿电压的设计与分析[J]辽宁大学学报(自然科学版).1998,(02)
[5]徐伟,胡延年.难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究[J]天津理工学院学报.1998,(04)
[6]石广元,胡延年,王中文.RG-MOSFET的I_(DS)特性分析[J]微处理机.1998,(02)
更多