张同军
【姓名】 张同军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 成品率,界面效应,管芯,界面态,金属杂质,界面质量,SiO_2/Si,界面电荷,控制片,固定电荷,样片,抛光,电效应,掺金,氢退火,电子能谱分析,Si_3N_4,铬离子,态密度,C-V曲线,电学,兰州...
【工作单位】 兰州大学
【曾工作单位】 兰州大学;
【所在地域】 兰州
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[1]李思渊,李寿嵩,张秀文,杨映虎,裘会芳,盂益民,柳南辉,郑秩,马莉莉,张同军,田仁杰.SiO_2/Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系[J]半导体技术.1981,(06)
[2]李思渊,殷之平,李寿嵩,张同军,江湧,蒋致诚,陈正石,齐尚奎.固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si/SiO_2界面的电子能谱分析[J]半导体技术.1983,(03)
[3]李思渊,张同军,李寿嵩.又一种具有特殊界面效应的稀有金属杂质铑[J]半导体学报.1983,(06)
[4]李思渊,李寿嵩,王毓珍,张同军.Au在Si-Si_3N_4界面的电学效应[J]物理学报.1984,(05)
[5]李思渊,张同军,王毓珍,李寿嵩,殷之平.无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性[J]物理学报.1985,(06)
[6]李思渊,张同军,李寿嵩,王毓珍.La在Si/SiO_2界面的电效应[J]电子科学学刊.1985,(03)
[7]李思渊,殷之平,张同军,王毓珍,贾笑天.金和铂在Si-Al_2O_3界面的电学效应[J]应用科学学报.1988,(03)
[8]张同军.静电感应晶闸管的研究[J]半导体技术.1989,(05)
[9]张同军.多层α-Si∶H/α-SiN_x∶H薄膜中氢含量的研究[J]电子科学学刊.1989,(06)
[10]李思渊,张同军,王晓岗,贾笑天.Al-Ti/W-PtSi-Si系统电性能的研究[J]应用科学学报.1991,(01)
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