王兴斌
【姓名】 王兴斌
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延,硅烷,薄层,SiH_4,最佳工艺,时间分配,温度,单晶,多晶,成核,外延层,多晶硅,多晶生长,横向生长,击穿电压,器件特性,单晶硅,诱导时间,自掺杂,设计功率,
【工作单位】 兰州大学
【曾工作单位】 兰州大学;
【所在地域】
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[1]张旗,李思渊,王根生,王兴斌.薄层硅烷同步外延的研究[J]半导体技术.1988,(03)
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