王毓珍
【姓名】 王毓珍
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电效应,样片,Si_3N_4,态密度,电学,俘获效应,掺金,高阻,B类,氧峰,氧退火,电流测量,界面态,A类,控制片,电子能谱分析,退火条件,淀积工艺,退火温度,Si-SiO_2,退火时间,界面效应,...
【工作单位】 兰州大学
【曾工作单位】 兰州大学;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/6 0 0 0 8 215
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]李思渊,李寿嵩,王毓珍,张同军.Au在Si-Si_3N_4界面的电学效应[J]物理学报.1984,(05)
[2]李思渊,张同军,王毓珍,李寿嵩,殷之平.无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性[J]物理学报.1985,(06)
[3]李思渊,张同军,李寿嵩,王毓珍.La在Si/SiO_2界面的电效应[J]电子科学学刊.1985,(03)
[4]李思渊,张旗,王毓珍,宣建功.影响微细铝条等离子刻蚀的物理化学因素[J]半导体技术.1987,(05)
[5]王仁道,王毓珍,翟西才.高阻值电阻在弱电流测量中的应用[J]电子元件与材料.1987,(02)
[6]李思渊,殷之平,张同军,王毓珍,贾笑天.金和铂在Si-Al_2O_3界面的电学效应[J]应用科学学报.1988,(03)
更多