姜汴婴
【姓名】 姜汴婴
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氢浓度分布,非晶硅,多层膜,分辨函数,中子源,分析束,中子比产额,靶半寿命,中子发生器,辐照损伤,中子能谱,核反应,能谱,核反应分析,高斯,最小二乘,中子产额,拟合,模拟源,旋转靶,氢含量,半导体,合...
【工作单位】 兰州大学
【曾工作单位】 兰州大学;
【所在地域】 兰州
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[1]汪永强;郑志豪;廖常庚;姜汴婴;.非晶硅多层膜中氢的核反应分析研究[J]原子能科学技术.1992,(02)
[2]汪永强;郑志豪;姜汴婴;.STUDY OF HYDROGEN IN ANNEALED AMORPHOUS SILICON AND IMPLANTED AMORPHOUS CARBON[J]Nuclear Science and Techniques.1990,(Z1)
[3]汪永强,关志豪,廖常庚,姜汴婴,项金钟.非晶硅多层膜中氢的核反应分析研究[J]兰州大学学报.1991,(03)
[4]姚泽恩,苏桐龄,姜汴婴.多元合成法研究任意中子源能谱等效的尝试[J]核技术.1992,(12)
[5]朴禹伯,牛占歧,王学智,苏同龄,陈尚文,姜汴婴,姚泽恩,苟全补,贾文宝.分析束强流中子发生器中子比产额及靶寿命[J]原子能科学技术.1993,(03)
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