张南屏
【姓名】 张南屏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;数学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 温差电动势率,溅射法,玻璃半导体,科学通报,晶化特性,a-Si,碳含量,微重力,光电性能,高温退火,电导率,电导激活能,H膜,超重力,硫系玻璃,辉光放电法,晶化,局域态,跳跃电导,碳原子,Ni含量,对...
【工作单位】 兰州大学
【曾工作单位】 兰州大学;
【所在地域】 兰州
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[1]陈光华;王印月;张南屏;张仿清;吴锦华;.对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究[J]贵金属.1981,(04)
[2]张仿清,张南屏,刘智,王印月,陈光华.溅射法制备a-Si_xC_(1-x):H薄膜光电性能的研究[J]电子学报.1984,(06)
[3]张仿清,张南屏,王印月,陈光华.As-Te玻璃半导体的温差电动势率和电导率的研究[J]硅酸盐学报.1984,(01)
[4]张仿清,张南屏,余光明,汤训虎,陈光华.高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H 薄膜晶化特性的影响[J]半导体学报.1985,(03)
[5]张仿清,张莉,张南屏,陈光华,马文驹.在微重和超重环境下生长的InSb晶体的电学特性研究[J]科学通报.1989,(19)
[6]张仿清,张莉,张南屏,陈光华,马文驹.ELECTRIC PROPERTIES OF InSb CRYSTAL GROWING UNDER MICRO-AND SU PER-G RAVITY CONDITIONS[J]Chinese Science Bulletin.1990,(08)
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[1]张仿清;谢二庆;扬斌;吴全忠;季亚英;张南屏;杨映虎;陈光华;蒋翔六;.硼掺杂多晶金刚石薄膜的电学特性[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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