王永顺
【姓名】 王永顺
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;哲学;
【研究方向】 静电感应器件
【发表文献关键词】 静电感应晶体管,双介质栅,同步外延,平面型埋栅结构,限场环,饱和,阻断电压,化学气相淀积,寄生电容,埋栅,成核,外延,混合特性,镜像法,夹断,I-V特性,势垒,英文,多晶硅,单晶硅,空间电荷效应,台面...
【工作单位】 兰州大学
【曾工作单位】 兰州大学;
【所在地域】 兰州
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[1]王永顺;.贴近生活的维特根斯坦哲学[J]商.2015,(21)
[2]陈金伙;王永顺;朱海华;胡加兴;张福甲;.CuPc/SiO_2表面界面的电子状态研究(英文)[J]半导体学报.2006,(08)
[3]王永顺,李思渊,胡冬青.微波高功率双介质栅静电感应晶体管(英文)[J]半导体学报.2004,(01)
[4]王永顺,李思渊,胡冬青.平面型埋栅结构的静电感应晶体管(英文)[J]半导体学报.2004,(02)
[5]王永顺,刘肃,李思渊,胡冬青.具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能(英文)[J]半导体学报.2004,(03)
[6]胡冬青,李思渊,王永顺.多晶硅、单晶硅同步外延研究(英文)[J]半导体学报.2004,(11)
[7]胡冬青,李思渊,王永顺.电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高[J]兰州大学学报.2005,(05)
[8]胡冬青,李思渊,王永顺.镜像法分析静电感应晶体管特性(英文)[J]半导体学报.2005,(02)
[9]陈金伙,刘肃,王永顺,李思渊,张福甲.静电感应晶体管的空间电荷效应(英文)[J]半导体学报.2005,(03)
[10]拥冬青,李思渊,王永顺.台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响[J]兰州大学学报.2005,(02)
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