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[2]戴姣燕;胡昌义;万吉高;方颖;欧阳远良;高文桂;刘伟平;杨家明;.MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究[J]贵金属.2006,(01)
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[3]闫洪,杜强,徐亚飞,杨家明,李和平.全光亮和高耐蚀性非晶态合金层的制备新工艺[J]材料科学与工程学报.2003,(03)
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[5]胡昌义,陈松,杨家明,邓德国,高逸群,尹志民,王云,李靖华.CVD法制备的Ir/Re涂层复合材料界面扩散研究[J]矿业研究与开发.2003,(S1)
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[6]邹平,杨家明,赵有才.嗜热嗜酸菌生物浸出低品位原生硫化铜矿[J]云南冶金.2003,(S1)
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[7]邹平,杨家明,周兴龙,赵有才.嗜热嗜酸菌生物浸出低品位原生硫化铜矿[J]有色金属.2003,(02)
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[8]邹平,杨家明,周兴龙,赵有才.嗜热嗜酸菌对低品位原生硫化铜矿的柱浸试验[J]有色金属.2003,(04)
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[9]邹平,张曙光,周兴龙,杨家明.低品位原生硫化铜矿嗜热嗜酸菌强化浸出[J]有色金属.2004,(01)
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[10]刘翔,谭红琳,吴长树,张鹏翔,赵德锐,陈庭金,廖世坤,吴刚,杨家明.Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料[J]半导体光电.2000,(06)
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