何志巍
【姓名】 何志巍
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】 超低介电常数材料
【发表文献关键词】 超低介电常数,多孔SiO2,纳米多孔SiO_2薄膜,综述,旋转涂覆,溶胶-凝胶,低介电常数,多孔SiO_2,透明导电薄膜,ZnO,分子模板,多孔硅,RF溅射,SiO_2,纳米,氧缺乏中心,ZnO薄膜,...
【工作单位】 兰州大学
【曾工作单位】 兰州大学;
【所在地域】 兰州
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[1]兰伟;朋兴平;刘雪芹;何志巍;王印月;.溶胶凝胶法制备ZnO薄膜及性质研究[J]兰州大学学报.2006,(01)
[2]缑洁;何志巍;潘国辉;王印月;.用SCLC法研究低k多孔SiO_2:F薄膜的隙态密度[J]物理学报.2006,(06)
[3]何志巍,甄聪棉,兰伟,王印月.溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO_2薄膜[J]物理学报.2003,(12)
[4]甄聪棉,刘雪芹,何志巍,兰伟,王印月.超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术进展[J]硅酸盐学报.2003,(09)
[5]徐大印,刘彦平,何志巍,方泽波,刘雪芹,王印月.多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为[J]物理学报.2004,(08)
[6]何志巍,甄聪棉,缑洁,兰伟,郭得峰,王印月.分子模板法制备纳米多孔SiO_2薄膜[J]稀有金属.2004,(03)
[7]方泽波,朋兴平,谭永胜,何志巍,王印月.ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究[J]稀有金属.2004,(03)
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