方颖
【姓名】 方颖
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低维金属材料,Ir/C簇膜,成分,结构研究,金属有机化合物化学气相沉积,沉积温度,乙酰丙酮铱,碳含量,氧气流,氧气传感器,衍射峰,前驱体,制备,薄膜,碳元素,表面形貌,贵金属,石英片,氧气条件,晶粒,
【工作单位】 昆明贵金属研究所
【曾工作单位】 昆明贵金属研究所;
【所在地域】 云南昆明
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[1]戴姣燕;胡昌义;万吉高;方颖;欧阳远良;高文桂;刘伟平;杨家明;.MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究[J]贵金属.2006,(01)
[2]胡昌义;戴姣燕;方颖;欧阳远良;闫革新;刘伟平;程勇;.MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究[J]稀有金属材料与工程.2006,(04)
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