欧阳远良
【姓名】 欧阳远良
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;材料科学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 金属薄膜,前驱体,气相沉积,金属化学,化学气相沉积,低维金属材料,Ir/C簇膜,成分,结构研究,金属有机化合物化学气相沉积,沉积温度,研究进展,乙酰丙酮铱,碳含量,沉积贵金属,氧气流,氧气传感器,衍射...
【工作单位】 昆明贵金属研究所
【曾工作单位】 昆明贵金属研究所;
【所在地域】 云南昆明
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[1]戴姣燕;胡昌义;万吉高;方颖;欧阳远良;高文桂;刘伟平;杨家明;.MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究[J]贵金属.2006,(01)
[2]胡昌义;戴姣燕;方颖;欧阳远良;闫革新;刘伟平;程勇;.MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究[J]稀有金属材料与工程.2006,(04)
[3]魏燕;胡昌义;王云;欧阳远良;陈力;蔡宏中;.化学气相沉积制备铂族金属涂层及难熔金属[J]贵金属.2008,(02)
[4]胡昌义,戴姣燕,陈松,欧阳远良,王云.贵金属化学气相沉积的研究进展[J]贵金属.2005,(02)
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[1]蔡宏中;胡昌义;陈力;欧阳远良;王云;.铱薄膜的MOCVD沉积规律研究[A].中国真空学会2008年学术年会论文摘要集.2008-10-01
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