钟仕科
【姓名】 钟仕科
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子敏感场效应晶体管,底型,ISFET,敏感膜,离子浓度,衬底,源电流,离子敏感,敏感器件,场效应晶体管,膜器件,真空沉积,气敏元件,测量范围,半导体电极,测量结果,烧结型,去离子水,性能稳定,计算式...
【工作单位】 江西大学
【曾工作单位】 江西大学;
【所在地域】 南昌
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[1]钟仕科.硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响[J]南昌大学学报(理科版).1979,(02)
[2]曾庆城,钟仕科,倪敏,王水凤.热氧化硅内表面薄层的显微观测[J]南昌大学学报(理科版).1980,(01)
[3]钟仕科,陈凯旋.用比电阻法描述合金钢二次硬化过程[J]南昌大学学报(理科版).1981,(00)
[4]曾庆城,钟仕科.硅内表面氧扩散分布的测量[J]南昌大学学报(理科版).1982,(01)
[5]钟仕科,廖乐祥,付敏恭.氢敏感钯栅MOS电容[J]南昌大学学报(理科版).1983,(04)
[6]钟仕科,廖乐祥.硅芯片多层薄膜折射率的测量[J]南昌大学学报(理科版).1984,(03)
[7]付敏恭,钟仕科.一种新型半导体气体传感器[J]应用化学.1985,(04)
[8]钟仕科;付敏恭;.ZnO半导体气体传感器[J]化学传感器.1985,(01)
[9]钟仕科;傅敏恭;郭述文;.衬底型离子敏感场效应晶体管[J]化学传感器.1985,(03)
[10]傅敏恭;钟仕科;.一种新型的SnO_2半导体气体传感器[J]化学传感器.1985,(03)
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