N.Du
【姓名】 N.Du
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硼掺杂,硅薄膜,氢化,LPCVD法,Si区,掺杂效率,氢处理,掺杂比,重掺杂,硼原子,衬底温度,掺杂气体,掺硼,空穴导电,a-Si,轻掺杂,自旋,占据态,正号,非晶态,
【工作单位】 加拿大西安大略大学
【曾工作单位】 加拿大西安大略大学;
【所在地域】
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[1]姚杰,章佩娴,N.Du,K.P.Chik.LPCVD法制备硼掺杂硅薄膜特性及氢化[J]材料科学进展.1988,(04)
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