钟雨乐
【姓名】 钟雨乐
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 ISFET,水化层,时漂,PECVD法,器件输出特性,放电功率密度,泵口压力,敏感膜,等离子化学气相淀积,能斯特响应,pH-ISFET,MonteCarlo摸拟,硅膜,衬底温度,氮化,电子辐照,动态脑...
【工作单位】 暨南大学
【曾工作单位】 暨南大学;
【所在地域】 广州
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[1]黄君凯,易清明,刘伟平,钟雨乐,张坤.SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
[2]陆尧胜,刘光昌,钟雨乐,杨政,沈以鸿.FD9900动态脑电图系统的研制[J]医疗卫生装备.2000,(03)
[3]钟雨乐,刘伟平,黄君凯.电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫[J]半导体技术.2001,(02)
[4]钟雨乐,黄君凯,刘伟平,李京娜.高能电子辐照导致氢化非晶硅的微晶化[J]辐射研究与辐射工艺学报.2001,(02)
[5]刘伟平,杜戈,黄君凯,钟雨乐,易清明,廖常俊,刘颂豪.光纤布拉格光栅反射谱旁瓣的抑制[J]激光与红外.2001,(03)
[6]胡翠英,钟雨乐,张春粼.电子束辐照a-Si的模拟计算[J]半导体技术.1999,(04)
[7]钟雨乐,赵守安,刘涛.pH-ISFET 输出时漂特性的研究[J]半导体学报.1994,(12)
[8]钟雨乐,刘涛.水化层对氮化硅膜pH-ISFET输出特性的影响[J]暨南大学学报(自然科学与医学版).1994,(01)
[9]钟雨乐,赵守安,刘涛.一种新型氮化硅氢离子敏器件及其特性[J]半导体技术.1996,(01)
[10]钟雨乐;.氢化非晶硅多数子驼峰二极管[J]暨南理医学报(理科专版).1986,(03)
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