阎大卫
【姓名】 阎大卫
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 施主受主对,掺锰,C带,辐射性质,瞬态电流,磷化铟,零偏压,陷阱,光激发,电子空穴,空穴陷阱,深能级,激发强度,电子陷阱,光激,零声子线,延迟时间,近红外光致发光,跃迁几率,SnO_2,浅施主,复合辐...
【工作单位】 吉林大学
【曾工作单位】 吉林大学;
【所在地域】 长春
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[2]马晓翠,阎大卫,赵永生.SnO_2/Fe_2O_3双层薄膜的界面结构及其对气敏特性的影响[J]真空科学与技术.2003,(02)
[3]梅玫,阎大卫.论林黛玉“真实”的人性品格[J]求是学刊.2002,(02)
[4]赵永生，阎大卫，马晓翠，康昌鹤，邹慧珠.PECVD方法制备SnO_2气敏薄膜的电子显微镜研究[J]功能材料.1994,(02)
[5]赵永生,阎大卫,康昌鹤,马晓翠,邹慧珠,杜国同.SnO_2气敏薄膜在SnO_2/Fe_2O_3双层结构中成核及生长过程的模拟[J]功能材料.1998,(03)
[6]张大明,杨明,阎大卫,李巍,衣茂斌.计算机控制竞赛强化训练系统[J]吉林大学自然科学学报.1998,(04)
[7]阎大卫.光测磁共振及其在研究Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的应用[J]波谱学杂志.1985,(02)
[8]严永铁,阎大卫,王宝琨,刘文明.用化学沉积法制备GaAs肖特基结及其光电性质的研究[J]吉林大学自然科学学报.1986,(03)
[9]阎大卫,B.C.Caveneff.掺锰磷化铟中1.18eV辐射的施主受主对辐射性质的研究[J]发光学报.1987,(03)
[10]史智盛,阎大卫.零偏压光激发瞬态电流谱及电子空穴陷阱的判断[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
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