任临福
【姓名】 任临福
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光解,光晶体管,直接刻蚀,InP半导体,准分子激光,选模,异质结,光能密度,基区,激光器,InGaAsP/InP,单模激光器,光增益,GaInAs,InP材料,断键,增益特性,聚酰亚胺,镜面,质子轰击...
【工作单位】 吉林大学
【曾工作单位】 吉林大学;
【所在地域】 长春
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[1]田小建,石景龙,单江东,任临福,郭树旭.浅析新形式下开设电子设计实验公共选修课[J]电气电子教学学报.2000,(03)
[2]李月,徐霏,田小建,任临福.通用示波器的检定方法与时域测量[J]吉林大学自然科学学报.1999,(02)
[3]赵方海,任临福,王庆亚,马力,郑伟,张玉书.准分子激光直接切割金刚石薄膜的技术研究[J]微细加工技术.1994,(02)
[4]邓希敏,任临福,杨文彦.GaAs衬底上低温热分解生长扩散掩膜[J]半导体光电.1981,(02)
[5]邓希敏,杜国同,任临福,杨健,高鼎三.(AlGa)As可见光激光器[J]吉林大学自然科学学报.1984,(03)
[6]张玉书,张庆有,任临福,石景龙.准分子激光直接刻蚀InP半导体材料[J]吉林大学自然科学学报.1988,(02)
[7]石家纬,殷景志,张玉书,金恩顺,赵万,任临福,石景龙,高鼎三.具有高增益特性的InGaAsP/InP异质结光晶体管[J]吉林大学自然科学学报.1988,(04)
[8]任临福,张玉书,张庆有,石景龙.准分子激光直接刻蚀聚酰亚胺技术研究[J]微细加工技术.1989,(02)
[9]赵万,张玉书,石家纬,金恩顺,殷景志,任临福,石景龙,高鼎三.对称三腔GaInAsP/InP单模激光器[J]吉林大学自然科学学报.1989,(02)
[10]张玉书,张庆有,任临福,丁涛,石景龙.InP材料UV激光直接刻蚀研究[J]吉林大学自然科学学报.1990,(04)
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