许新民
【姓名】 许新民
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅外延,SiCl_4,外延片,产生的原因,外延,氢还原,SICI,外延层,石墨基座,常压,生长速率,外延生长,多晶硅,半导,包硅,埋层,衬底片,杂质浓度分布,图形畸变,自掺杂,硅迁移,吉林大学,呈雾状...
【工作单位】 吉林大学
【曾工作单位】 吉林大学;
【所在地域】
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[1]刘明登,杨树人,许新民,付则钟.低压硅外延雾状表面产生的原因及其消除[J]人工晶体.1982,(Z1)
[2]刘明登,杨树人,许新民,李伟,傅则钟,柯岚,赵大力.SiCl_4-H_2体系低压硅外延的研究[J]吉林大学自然科学学报.1983,(01)
[3]杨树人,刘明登,许新民,傅则忠,李玉珍.SiCl_4氢还原低压硅外延生长的碳沾污[J]半导体技术.1986,(01)
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