刘明登
【姓名】 刘明登
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅外延,SiCl_4,混合源,矩形反应器,氢还原,外延生长,源外延,多晶硅,SiH_4,常压,外延片,生长速率,SICI,硅迁移,表面反应模型,外延,输运模型,LaFeO_3,参数模型,吸附氧,敏度,...
【工作单位】 吉林大学
【曾工作单位】 吉林大学;
【所在地域】 广西长春
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[1]刘明登,杨树人,许新民,付则钟.低压硅外延雾状表面产生的原因及其消除[J]人工晶体.1982,(Z1)
[2]刘明登,杨树人,许新民,李伟,傅则钟,柯岚,赵大力.SiCl_4-H_2体系低压硅外延的研究[J]吉林大学自然科学学报.1983,(01)
[3]金希卓,刘明登,耿焕珍.矩形反应器的速度分布和质量输运[J]吉林大学自然科学学报.1985,(02)
[4]杨树人,刘明登,许新民,傅则忠,李玉珍.SiCl_4氢还原低压硅外延生长的碳沾污[J]半导体技术.1986,(01)
[5]汤广平,刘明登,全宝富,赵慕愚.SiCl_4-SiH_4-H_2混合源的硅外延生长[J]半导体学报.1986,(06)
[6]刘明登,金希卓,丛志先.矩形反应器中硅外延生长速率的估算[J]固体电子学研究与进展.1988,(03)
[7]金希卓,刘明登,丛志先.减压硅外延的混合动力学分析[J]吉林大学自然科学学报.1988,(04)
[8]阎卫平;孙良彦;刘明登;秦玉春;.不同制备方法对LaFeO_3材料及其性能影响的研究[J]仪表材料.1990,(05)
[9]阎春辉,刘明登,全宝富,朱袁正,张旭光,王阳元.实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制[J]半导体学报.1991,(09)
[10]阎卫平,孙良彦,刘明登,李万成.稀土钙钛矿型乙醇敏感材料的特性[J]吉林大学自然科学学报.1991,(02)
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