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邹慧珠
【姓名】
邹慧珠
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
ZnTe,蒸汽压,气相生长,光激,瞬态电流,空穴陷阱,单晶,电子陷阱,SnO_2,多层薄膜,多层膜,沉积时间,界面过渡层,过渡层,光强,SnO_2气敏薄膜,SnO_2薄膜,Fe_2O_3,薄膜特性,生...
【工作单位】
吉林大学
【曾工作单位】
吉林大学;
【所在地域】
长春
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共找到8篇
[1]赵永生,阎大卫,马晓翠,康昌鹤,邹慧珠.
PECVD方法制备SnO_2气敏薄膜的电子显微镜研究
[J]功能材料.1994,(02)
[2]赵永生,阎大卫,康昌鹤,马晓翠,邹慧珠,杜国同.
SnO_2气敏薄膜在SnO_2/Fe_2O_3双层结构中成核及生长过程的模拟
[J]功能材料.1998,(03)
[3]董志武,严永铁,石卫东,邹慧珠.
在锌蒸汽压控制下气相生长ZnTe单晶
[J]人工晶体.1988,(01)
[4]严永铁;董志武;石卫东;邹慧珠;张济良;王宝琨;.
应用气相升华法制备CdTe晶体及其性质的研究
[J]仪表材料.1989,(01)
[5]史智盛,阎大卫,马小翠,邹慧珠,刘文明.
光激瞬态电流谱方法中激发光强度等因素对结果的影响
[J]吉林大学自然科学学报.1990,(01)
[6]马晓翠;阎大卫;戴国瑞;邹慧珠;.
SnO_2/Fe_2O_3多层结构薄膜型气敏元件的研究
[J]仪表材料.1990,(03)
[7]马晓翠,阎大卫,邹慧珠.
SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究
[J]半导体学报.1991,(07)
[8]马晓翠,闫大卫,吴军,王宗昌,邹慧珠.
SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究
[J]半导体学报.1993,(06)
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吉林大学
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闫大卫
吉林大学
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严永铁
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(学者,学者单位,篇数)
杜国同
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王宗昌
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马晓翠
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