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吕宪义
【姓名】
吕宪义
【职称】
高级工程师;
【研究领域】
物理学;工业通用技术及设备;材料科学;
【研究方向】
金刚石膜及相关薄膜材料的研究
【发表文献关键词】
微弧氧化,N离子注入,非晶碳膜,陶瓷膜,铝合金,电学参量,复合膜,高氢,气浓度,碳活度,键合结构,碳纳米管,EA-CVD,金刚石厚膜,品质和膜厚均匀性,热导率,原子氢,定向生长,磨耗比,微弧氧化膜,电...
【工作单位】
吉林大学
【曾工作单位】
吉林大学;
【所在地域】
长春
学术成果产出统计表
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核心期刊论文数
基金论文数
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到81篇
[1]王启亮;张羿明;李根壮;李柳暗;成绍恒;吕宪义;李红东;邹广田;.
金刚石半导体及功率肖特基二极管研究进展和挑战
[J]真空电子技术.2024,(05)
[2]林旺;王婷婷;王启亮;吕宪义;李根壮;李柳暗;敖金平;邹广田;.
Design of vertical diamond Schottky barrier diode with junction terminal extension structure by using the n-Ga_2O_3/p-diamond heterojunction
[J]Chinese Physics B.2022,(10)
[3]谢文良;吕宪义;王启亮;李柳暗;邹广田;.
Relationship between the spatial position of the seed and growth mode for single-crystal diamond grown with an enclosed-type holder
[J]Chinese Physics B.2022,(10)
[4]牟草源;李根壮;谢文良;王启亮;吕宪义;李柳暗;邹广田;.
微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展
[J]电子与封装.2023,(01)
[5]朱盈;林旺;李东帅;李柳暗;吕宪义;王启亮;邹广田;.
High performance trench diamond junction barrier Schottky diode with a sidewall-enhanced structure
[J]Chinese Physics B.2023,(08)
[6]王启亮;吕宪义;成绍恒;张晴;李红东;邹广田;.
高速生长CVD金刚石单晶及应用
[J]超硬材料工程.2011,(02)
[7]徐跃;张彤;李柳暗;李红东;吕宪义;金曾孙;.
自支撑硼掺杂金刚石膜残余应力和微观应力的XRD分析
[J]材料研究学报.2009,(03)
[8]陈淑霞;顾长志;李海钧;吕宪义;金曾孙;.
硅尖与高质量碳纳米管混合物的场发射性能
[J]真空电子技术.2006,(01)
[9]白亦真;吕宪义;金曾孙;姜志刚;.
钽阴极在热阴极辉光放电中行为与防护
[J]大连理工大学学报.2006,(02)
[10]白亦真;吕宪义;韩雪梅;金曾孙;吕天山;白媛;.
金刚石膜制备工艺对其应力-应变特性的影响
[J]吉林大学学报(理学版).2006,(05)
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中国重要会议全文数据库
共找到16篇
[1]白亦真;金曾孙;王春蕾;姜志刚;吕宪义;邹广田;.
金刚石厚膜界面层结构研究
[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[2]王佳宇;吕宪义;孙越;白亦真;金曾孙;邹广田;.
热灯丝辅助PCVD生长金刚石厚膜
[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[3]纪红;金曾孙;顾长志;金文成;吕宪义;邹广田;.
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[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[4]王佳宇;吕宪义;孙越;白亦真;金曾孙;邹广田;.
金刚石厚膜过渡层研究
[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[5]王启亮;吕宪义;成绍恒;李红东;邹广田;.
高速生长CVD金刚石单晶及应用
[A].2011中国材料研讨会论文摘要集.2011-05-17
[6]吴汉华;吕宪义;龙北玉;汪剑波;王秀琴;金曾孙;李哲奎;.
电流密度对铝合金微弧氧化陶瓷膜显微硬度影响的研究
[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ.2004-09-01
[7]金曾孙;吕宪义;杨广亮;吴汉华;李哲奎;刘建设;.
金刚石膜中氮杂质状态的研究
[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ.2004-09-01
[8]李明吉;吕宪义;孙宝茹;金曾孙;.
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[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ.2004-09-01
[9]李春燕;金曾孙;吕宪义;.
乙醇对金刚石膜生长特性的影响
[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ.2004-09-01
[10]胡超权;郑伟涛;刘建伟;田宏伟;李俊杰;吕宪义;金曾孙;.
CH_4/(CH_4+Ar)流量比对非晶Ge_(1-x)C_x薄膜化学键合的影响
[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
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