薄报学
【姓名】 薄报学
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAsP,低阈值,横模,激光器,BC激光器,列阵,结电容,低阈值电流,半导体激光器,分子束外延,长波长,有源区,InGaAsP/InP,管芯,埋条,光功率输出,高功率,正装,制层,场图,半导体激...
【工作单位】 吉林大学
【曾工作单位】 吉林大学;
【所在地域】 长春
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[1]薄报学,高鼎三,宋晓伟,王玲,曲轶.大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
[2]薄报学,曲轶,高欣,王玲,宋晓伟,高鼎三.高功率阵列半导体激光器的光纤耦合输出[J]光电子·激光.2001,(05)
[3]薄报学,王玲,曲轶,高鼎三.808nm波长高功率阵列半导体激光器[J]中国激光.2001,(06)
[4]曲轶,高欣,薄报学,张兴德,石家纬.980 nm高功率列阵半导体激光器[J]光电子技术与信息.2001,(06)
[5]肖建伟,苗忠礼,衣茂斌,薄报学,马玉珍,高鼎三.1.3微米低阈值掩埋新月型InP-InGaAsP激光器[J]吉林大学自然科学学报.1987,(04)
[6]肖建伟,薄报学,衣茂斌,马玉珍,高鼎三.1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器[J]半导体学报.1988,(06)
[7]肖建伟,衣茂斌,薄报学,苗忠礼,马玉珍,高鼎三.低阈值稳定基横模1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器[J]吉林大学自然科学学报.1989,(04)
[8]薄报学;衣茂斌;高鼎三;.(001)InP晶片[110]及[1 0]取向的最新判别法[J]半导体光电.1989,(04)
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