顾长志
【姓名】 顾长志
【职称】 副教授;
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】 半导体材料与器件的研究工作
【发表文献关键词】 金刚石薄膜,微波等离子体化学气相沉积方法,金刚石膜,CMOS,生长特性,体硅电路,热导率,电路,热沉,CVD方法,MWPCVD,晶粒尺寸,体硅,闩锁效应,微波等离子体,金刚石,高导热,超硬材料,工作特...
【工作单位】 吉林大学
【曾工作单位】 吉林大学;
【所在地域】 长春
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/25 15 8 16 243 3054
中国期刊全文数据库    共找到21篇
[1]王维彪,顾长志,纪红,彭红艳,赵海峰,张传平.外延纳米金刚石膜及其场发射特性[J]液晶与显示.2003,(03)
[2]王怀荣,姚达,苏秀娣,许仲德,陆剑侠,顾长志,金曾孙.CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性[J]吉林大学自然科学学报.1999,(03)
[3]纪红,金曾孙,顾长志,吕宪义,金文成.镜面抛光硅衬底上金刚石薄膜的生长[J]吉林大学自然科学学报.1999,(04)
[4]顾长志,王春蕾,金曾孙,吕宪义,邹广田,张纪法,方容川.金刚石膜的热导率特性研究[J]科学通报.1994,(07)
[5]顾长志,孙良彦,张彤,文珂,曹锡章.金属卟啉L-B膜气敏元件的实验研究[J]传感技术学报.1994,(01)
[6]金曾孙,吕宪义,顾长志,王春蕾,白亦真,皇甫萍,秦东,邹广田.金刚石厚膜的制备及应用研究[J]高技术通讯.1994,(08)
[7]顾长志,金曾孙,孟强,邹广田,陆剑侠,苏秀娣,许仲德,姚达,王怀荣.CMOS/SOD电路的高温工作特性[J]半导体学报.1997,(09)
[8]顾长志,金曾孙,吕宪义,邹广田,屠玉珍,方祖捷.使用金刚石膜热沉的半导体激光器特性研究[J]半导体学报.1997,(11)
[9]顾长志,金曾孙.金刚石膜的性质、应用及国内外研究现状[J]功能材料.1997,(03)
[10]顾长志,金曾孙,王玉光,吕宪义,邹广田.Nd: YAG激光器切割金刚石膜的特性研究[J]光学学报.1997,(10)
更多
中国重要会议全文数据库    共找到4篇
[1]纪红;金曾孙;顾长志;金文成;吕宪义;邹广田;.在镜面抛光的硅衬底上沉积金刚石薄膜[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[2]张彤;孙良彦;顾长志;.一种卟啉化合物L-B膜气敏特性的研究[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[3]元光;金亿鑫;金长春;张宝林;蒋红;周天明;宁永强;荆海;朱希玲;顾长志;孟强;.利用CVD方法制备金刚石冷阴极的研究[A].1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集.1996-06-01
[4]顾长志;王春蕾;庄荣书;吕宪义;金曾孙;.金刚石薄膜选择性生长的新方法的研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
更多