向少华
【姓名】 向少华
【职称】 助教;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 基础物理和电子技术研究
【发表文献关键词】 静态工作点,平带电压,聚硅烷涂层,氧等离子体,戴维南定理,基尔霍夫定律,放大电路,聚硅烷,SiO_2/Si,处理条件,射频功率,平带,电压绝对值,反应室,气压,处理时间,氧等离子体处理,节点电位法,物...
【工作单位】 怀化师范高等专科学校
【曾工作单位】 怀化师范高等专科学校;
【所在地域】 湖南怀化
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[1]向少华,谢茂浓,张明高,廖伟,彭志坚,傅鹤鉴.氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响[J]半导体技术.2001,(01)
[2]向少华.关于求解放大电路静态工作点的方法[J]怀化师专学报.2001,(05)
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