赵建洪
【姓名】 赵建洪
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Bi_4Ti_3O_(12)高取向薄膜,SrTiO_3基片,Sol-Gel方法,铁电场效应晶体管,FFET,PLD,铁电薄膜,I-V特性,C-V特性,PLD法,SrTiO_3,PZT薄膜,Bi4Ti3...
【工作单位】 华中理工大学
【曾工作单位】 华中理工大学;
【所在地域】 武汉
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[1]于军,董晓敏,赵建洪,周文利,谢基凡,郑远开,刘刚.MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响[J]无机材料学报.1999,(04)
[2]顾豪爽,王世敏,吴新民,邝安祥,马世安,汪连山,赵建洪,李兴教.溶胶-凝胶法制备高取向Bi_4Ti_3O_(12)/SrTiO_3(100)薄膜[J]物理化学学报.1996,(01)
[3]于军,周文利,赵建洪,谢基凡,黄歆.Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究[J]半导体学报.1997,(05)
[4]李兴教;赵建洪;安承武;李再光;李少平;.准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究[J]压电与声光.1997,(02)
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