解战英
【姓名】 解战英
【职称】 助理工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 铁电薄膜存储电路、PTC生产工艺、压敏电阻器等方面的研究工作
【发表文献关键词】 硼硅玻璃,压敏电阻器,电性能,ZnO压敏电阻器,压敏场强,玻璃料,漏电流,压敏,掺杂量,肖特基,非线性系数,晶界,电子科学与技术,晶界层,压敏电压,势垒高度,掺入量,Bi2O3,压敏电,迅速上升,
【工作单位】 华中理工大学
【曾工作单位】 华中理工大学;
【所在地域】 湖北武汉
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[1]周东祥,解战英,付明,龚树萍,王礼琼.硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响[J]电子元件与材料.2000,(03)
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