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[3]李震,李佐宜,邱进军,胡用时,朱全庆.基于快速傅里叶变换(FET)的磁性参数的计算方法[J]磁性材料及器件.2000,(04)
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[6]邱进军,李佐宜,郑远开,李震,林更琪,熊锐,胡作启,卢志红.交换耦合双层膜NiO/Ni_(81)Fe_(19)的基片温度效应研究[J]无机材料学报.1999,(06)
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[9]朱全庆,谭立国,李震,李佐宜,蔡长波,邱进军.光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法[J]磁记录材料.1999,(03)
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[10]李震,李佐宜,邱进军,胡用时,朱全庆.一种提高识别矫顽力精度的方法[J]磁记录材料.1999,(03)
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