朱全庆
【姓名】 朱全庆
【职称】
【研究领域】 一般化学工业;数学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 矫顽力,延迟器,磁光双层耦合膜,振动样品磁强计,FFT,磁光记录薄膜,直接重写,蝶形算法,噪声,VSM,光调制,磁性参数,温度特性,电子科学与技术,磁性能数,外加磁场,饱和磁化强度,快速傅里叶变换,软...
【工作单位】 华中理工大学
【曾工作单位】 华中理工大学;
【所在地域】 武汉
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[1]李震,李佐宜,邱进军,胡用时,朱全庆.基于快速傅里叶变换(FET)的磁性参数的计算方法[J]磁性材料及器件.2000,(04)
[2]王可,李佐宜,胡作启,林更琪,熊锐,杨晓非,李震,王翔,易开军,朱全庆,胡煜.光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究[J]信息记录材料.2000,(Z1)
[3]朱全庆,李震,胡用时,邱进军,李佐宜.磁光记录薄膜温度特性测量方法研究[J]磁记录材料.1999,(03)
[4]朱全庆,谭立国,李震,李佐宜,蔡长波,邱进军.光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法[J]磁记录材料.1999,(03)
[5]李震,李佐宜,邱进军,胡用时,朱全庆.一种提高识别矫顽力精度的方法[J]磁记录材料.1999,(03)
[6]李震,李佐宜,邱进军,胡用时,朱全庆.基于FFT的磁性参数的估算方法[J]磁记录材料.1999,(04)
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