赵伯芳
【姓名】 赵伯芳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 金属诱导,低温晶化,激光晶化,椭偏谱,非晶硅薄膜,硅薄膜,薄膜晶体管,氢化工艺,多晶硅薄膜,氢化机理,氢化,金属诱导横向晶化,有源层,非晶,poly-SiTFT,刻蚀,Si薄膜,等离子氢化,SiC,薄...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 湖北武汉
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[2]张五星,徐重阳,王长安,赵伯芳.溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜[J]压电与声光.2003,(01)
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[5]曾祥斌,徐重阳,王长安,饶瑞,赵伯芳,周雪梅.实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺[J]光电子技术.2000,(03)
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[8]饶瑞,徐重阳,孙国才,赵伯芳,曾祥斌.晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si TFT性能的影响[J]微细加工技术.2001,(02)
[9]张洪涛,徐重阳,邹雪城,王长安,赵伯芳,周雪梅,曾祥斌.4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究[J]物理学报.2002,(02)
[10]饶瑞,徐重阳,曾祥斌,王长安,赵伯芳,周雪梅.微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究[J]压电与声光.2002,(03)
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[2]王敬义;尹盛;赵亮;赵伯芳;.冷等离子体中的粉体研究[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10).2007-11-01
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