邹晓
【姓名】 邹晓
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高k栅介质,亚阈斜率,栅介质,MOSFET,短沟道效应,阈值电压,深亚微米MOSFET,半导体场效应晶体管,势垒,GaN,散射机制,电子迁移率,模型,锗硅沟道,金属-氧化物-半导体场效应管,k值,金属...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 武汉
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[1]韩弼;徐静平;李艳萍;陈卫兵;邹晓;李春霞;.新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究[J]压电与声光.2006,(02)
[2]邹晓;徐静平;李艳萍;陈卫兵;苏绍斌;.SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[3]陈卫兵;徐静平;邹晓;李艳萍;许胜国;胡致富;.小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型[J]物理学报.2006,(10)
[4]张雪锋;徐静平;邹晓;张兰君;.应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型[J]半导体学报.2006,(11)
[5]陈卫兵;徐静平;李艳萍;许胜国;邹晓;.不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究[J]固体电子学研究与进展.2008,(01)
[6]徐静平;苏绍斌;邹晓;.应变SiGe沟道PMOSFET阈值电压模型[J]固体电子学研究与进展.2008,(02)
[7]陈卫兵,徐静平,邹晓,李艳萍,赵寄.高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析[J]固体电子学研究与进展.2004,(04)
[8]邹晓,徐静平,陈卫兵,吴海平.GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型[J]微电子学.2005,(05)
[9]邹晓,朱忠翠.“给思想以形状”——符号图形[J]装饰.2005,(09)
[10]李艳萍,徐静平,陈卫兵,邹晓.深亚微米MOSFET阈值电压模型[J]微电子学.2005,(01)
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