汤自荣
【姓名】 汤自荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 激光键合,键合线宽,晶圆直接键合,翘曲度,仿真结果,弹性应变能,有限元,MEMS,有限元法,回归分析,表面活化处理,键合面积,激光功率,外压力,局部键,激光扫描速度,键合方法,晶圆表面,玻璃,初始温度...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 武汉
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[1]马子文;廖广兰;史铁林;汤自荣;聂磊;林晓辉;.表面翘曲度对晶圆直接键合的影响[J]半导体技术.2006,(10)
[2]马子文;汤自荣;廖广兰;史铁林;聂磊;.无压力辅助硅/玻璃激光局部键合[J]半导体学报.2007,(02)
[3]马子文;汤自荣;廖广兰;史铁林;.晶片直接键合所需表面粗糙度条件[J]半导体学报.2007,(03)
[4]聂磊;史铁林;廖广兰;汤自荣;.圆片键合强度测试方法分析[J]半导体光电.2007,(01)
[5]马子文;汤自荣;廖广兰;史铁林;聂磊;周平;.激光键合的有限元仿真及工艺参数优化[J]半导体学报.2007,(06)
[6]聂磊;史铁林;汤自荣;李晓平;马子文;.表面活化处理在激光局部键合中的应用[J]激光技术.2007,(05)
[7]彭平;廖广兰;汤自荣;史铁林;林晓辉;刘世元;.基于低温直接键合的血细胞计数芯片结构制备[J]功能材料与器件学报.2008,(06)
[8]廖广兰;王美成;史铁林;史玉平;汤自荣;聂磊;.圆片直接键合界面表面能测试研究[J]半导体光电.2008,(03)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]汤自荣;.一种新的三维悬浮碳微纳结构制备方法研究[A].华中科技大学;.项目经费 33万元.2008-03-20.资助文献数 0
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