苏绍斌
【姓名】 苏绍斌
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 锗硅沟道,金属-氧化物-半导体场效应管,阈值电压,短沟道效应,电压模型,沟道长度,掺杂浓度,泊松方程,衬底,氧化层厚度,盖帽,器件模拟,模拟结果,栅氧化层,漏源电压,深亚微米,小尺寸,实验数据,空穴迁...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 武汉
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[1]邹晓;徐静平;李艳萍;陈卫兵;苏绍斌;.SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[2]徐静平;苏绍斌;邹晓;.应变SiGe沟道PMOSFET阈值电压模型[J]固体电子学研究与进展.2008,(02)
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