赵寄
【姓名】 赵寄
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高k栅介质,亚阈斜率,半导体场效应晶体管,阈值电压,栅介质,MOSFET,k值,金属氧化物,电特性,栅极,模拟分析,短沟道效应,薄栅,余因子,转移特性,PISCES,栅介质层,电子科学与技术,栅压,边...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 武汉
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[1]陈卫兵,徐静平,邹晓,李艳萍,赵寄.高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析[J]固体电子学研究与进展.2004,(04)
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