沈能方
【姓名】 沈能方
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;生物学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 自屏蔽效应,三维表面,钴膜,电子显微分析,吸附原子,柱状结构,倾斜轴,二次电子象,硅单晶,试样表面,矢量,象平面,膜生长,放大率,坐标基,斜入射,空间长度,试样台,扫描角,钴,腐蚀液,腐蚀速率,表面结...
【工作单位】 华中工学院
【曾工作单位】 华中工学院;
【所在地域】 湖北武汉
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中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]许鹤鸣;沈能方;.ZLDG-01铸铝表面“白点”的显微分析[J]理化检验.物理分册.1986,(05)
[2]沈能方;戴道文;郭汉强;.NTD硅单晶高压整流元件的扫描电镜分析[J]电子显微学报.1984,(04)
[3]沈能方;戴道文;.扫描电子显微镜中吸收电流像的应用[J]电子显微学报.1984,(04)
[4]沈能方;戴道文;.NTD硅单晶的扫描电子显微镜研究[J]电子显微学报.1985,(04)
[5]戴道文,沈能方.三维表面结构的定量电子显微分析[J]华中工学院学报.1986,(02)
[6]沈能方;.硒酵母的扫描电子显微镜观察[J]电子显微学报.1986,(03)
[7]戴道文,沈能方,李佐宜.斜入射蒸发钴膜生长的自屏蔽效应[J]华中工学院学报.1987,(03)
[8]戴道文;沈能方;李佐宜;.SmCo磁性薄膜的电子显微术研究[J]电子显微学报.1988,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]沈能方;.硒酵母的扫描电子显微镜观察[A].第四次全国电子显微学会议论文摘要集.1986-08-01
[2]沈能方;戴道文;郭汉强;.NTD硅单晶高压整流元件的扫描电镜分析[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30
[3]沈能方;戴道文;.扫描电子显微镜中吸收电流像的应用[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30
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