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戴永斌
【姓名】
戴永斌
【职称】
【研究领域】
物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
激光晶化,椭偏谱,薄膜晶体管,多晶硅薄膜,硅薄膜,XeCl,多晶,两步晶化,晶化,硅薄膜晶体管,电子科学与技术,子晶,晶粒尺寸,硅膜,单步,华中科技大学,结晶层,迁移率,晶粒,晶化过程,
【工作单位】
华中科技大学
【曾工作单位】
华中科技大学;
【所在地域】
湖北武汉
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共找到1篇
[1]曾祥斌,徐重阳,戴永斌,王长安,周雪梅,赵伯芳.
XeCl激光晶化制备多晶硅薄膜及椭偏谱分析
[J]半导体光电.2000,(04)
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1
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