敖育红
【姓名】 敖育红
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;航空航天科学与工程;
【研究方向】 准分子脉冲激光沉积薄膜技术方面的研究工作
【发表文献关键词】 激光推进,前置跨阻放大器,跨阻放大器,超快脉冲激光沉积,脉冲激光真空弧薄膜制备,双光束脉冲激光沉积,光接收机,脉冲激光,薄膜技术,CMOS,脉冲激光沉积薄膜,卫星发射,碳激光器,光通信系统,靶材,脉冲...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 武汉
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[1]郑兆青,敖育红,陈朝阳,沈绪榜.两相时钟方案[J]半导体技术.2003,(09)
[2]敖育红,胡少六,龙华,徐业斌,王又青.脉冲激光沉积薄膜技术研究新进展[J]激光技术.2003,(05)
[3]敖育红,胡少六,郑兆青.光通信系统中前置跨阻放大器的研究和设计[J]微电子技术.2003,(06)
[4]胡少六,李波,龙华,敖育红,王又青,程祖海.激光推进技术的现状及发展[J]激光与光电子学进展.2003,(10)
[5]胡少六,敖育红,何建平,龙华.大型仪器科学管理的探讨[J]实验室研究与探索.2004,(06)
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