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王玲杰
【姓名】
王玲杰
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
界面态密度,氢离子注入,Si-SiO_2,氢离子,栅区,退火时间,MOS电容,悬挂键,退火温度,场区,界面态,禁带,氢离子浓度,可动离子,离子注入剂量,未饱和,平带电压,极半径,化学反应平衡,离子注入,
【工作单位】
华中工学院
【曾工作单位】
华中工学院;
【所在地域】
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共找到1篇
[1]王玲杰,林应新,陈泉森,吴作良.
氢离子注入对Si-SiO_2界面态密度的影响
[J]固体电子学研究与进展.1986,(03)
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