侯思普
【姓名】 侯思普
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 速度演化,KTN薄膜,靶材,温度演化,脉冲激光沉积,有限差分,熔融,烧蚀面,脉冲激光,等离子体,吸收率,子体,演化规律,收率变化,烧蚀,华中科技大学,烧蚀机理,温度分布,制膜,主校区,硅靶,固液相界面...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 武汉
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[1]张端明,关丽,李智华,钟志成,侯思普,杨凤霞,郑克玉.脉冲激光制膜过程中等离子体演化规律的研究[J]物理学报.2003,(01)
[2]张端明,侯思普,关丽,钟志成,李智华,杨凤霞,郑克玉.脉冲激光制备薄膜材料的烧蚀机理[J]物理学报.2004,(07)
[3]张端明,李莉,李智华,关丽,侯思普,谭新玉.靶材吸收率变化与烧蚀过程熔融前靶材温度分布[J]物理学报.2005,(03)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]侯思普.PLD中等离子体屏蔽效应与烧蚀机理的研究[D].华中科技大学.2004
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