冯汉华
【姓名】 冯汉华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 铁电薄膜,Sub-100nm,电流温度特性,多层铁电薄膜,界面电压降,内建电压,刻印失效,非对称的整流特性,界面电位降,耗尽层,温度特性,层状结构,存储二极管,MFS结构,频率,BIT铁电薄膜,漏电流...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 武汉
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[1]李兴教,王宁章,鲍军波,冯汉华,陈涛,周健,袁润章.层状结构铁电薄膜中频率对界面电位降的影响[J]压电与声光.2001,(06)
[2]王宁章,鲍军波,陈涛,冯汉华,黄新堂,袁润章,李兴教.极薄铁电薄膜J-V曲线温度特性的研究[J]压电与声光.2001,(06)
[3]李兴教,王宁章,鲍军波,陈涛,冯汉华,袁润章,LI Shao-ping.多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压[J]压电与声光.2002,(04)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]冯汉华;.长保持非破坏读出铁电存储器基础研究[A].华中科技大学;.项目经费 13万元.1999-03-31.资助文献数 2 篇
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