陈卫兵
【姓名】 陈卫兵
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;电力工业;
【研究方向】 高k栅介质小尺寸MOSFET器件物理模型与电特性模拟等方面的研究工作
【发表文献关键词】 高k栅介质,亚阈斜率,栅介质,MOSFET,张弛振荡器,短沟道效应,深亚微米MOSFET,阈值电压,半导体场效应晶体管,势垒,跨导运算放大器,单电源,k值,施密特触发器,金属氧化物,GaN,电子迁移率...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 湖北武汉
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[1]陈卫兵;徐静平;邹豪杰;李长云;.NO退火对并五苯有机薄膜晶体管特性的改善[J]华中科技大学学报(自然科学版).2010,(07)
[2]徐静平;熊剑波;陈卫兵;.一种新的CMOS带隙基准电压源设计[J]华中科技大学学报(自然科学版).2006,(02)
[3]韩弼;徐静平;李艳萍;陈卫兵;邹晓;李春霞;.新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究[J]压电与声光.2006,(02)
[4]邹晓;徐静平;李艳萍;陈卫兵;苏绍斌;.SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[5]李艳萍;徐静平;陈卫兵;许胜国;季峰;.考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型[J]物理学报.2006,(07)
[6]许胜国;徐静平;李艳萍;陈卫兵;季峰;.表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响[J]微电子学.2006,(04)
[7]季峰;徐静平;Lai P T;陈卫兵;李艳萍;.高k栅介质MOSFETs的二维阈值电压模型[J]半导体学报.2006,(10)
[8]陈卫兵;徐静平;邹晓;李艳萍;许胜国;胡致富;.小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型[J]物理学报.2006,(10)
[9]姜娟;邹雪城;李育超;陈卫兵;钟德刚;.单节锂离子电池保护芯片与系统的设计[J]通信电源技术.2007,(01)
[10]季峰;徐静平;陈卫兵;李艳萍;.深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟[J]华中科技大学学报(自然科学版).2007,(08)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]陈卫兵.高k栅介质MOS器件模型和制备工艺研究[D].华中科技大学.2006
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