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【姓名】	戴道文
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	自屏蔽效应,三维表面,钴膜,电子显微分析,吸附原子,柱状结构,倾斜轴,二次电子象,硅单晶,试样表面,矢量,象平面,膜生长,放大率,坐标基,斜入射,空间长度,试样台,扫描角,钴,腐蚀液,腐蚀速率,表面结...
【工作单位】	华中工学院
【曾工作单位】	华中工学院;
【所在地域】	湖北武汉

中国期刊全文数据库 共找到6篇

[1]沈能方;戴道文;郭汉强;.NTD硅单晶高压整流元件的扫描电镜分析[J]电子显微学报.1984,(04)

[2]沈能方;戴道文;.扫描电子显微镜中吸收电流像的应用[J]电子显微学报.1984,(04)

[3]沈能方;戴道文;.NTD硅单晶的扫描电子显微镜研究[J]电子显微学报.1985,(04)

[4]戴道文,沈能方.三维表面结构的定量电子显微分析[J]华中工学院学报.1986,(02)

[5]戴道文,沈能方,李佐宜.斜入射蒸发钴膜生长的自屏蔽效应[J]华中工学院学报.1987,(03)

[6]戴道文;沈能方;李佐宜;.SmCo磁性薄膜的电子显微术研究[J]电子显微学报.1988,(02)

中国重要会议全文数据库 共找到2篇

[1]沈能方;戴道文;郭汉强;.NTD硅单晶高压整流元件的扫描电镜分析[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30

[2]沈能方;戴道文;.扫描电子显微镜中吸收电流像的应用[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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