范广涵
【姓名】 范广涵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 白光LED,老化机理,荧光粉,老化方法,GaN,积分,失效,光电子学,发光效率,布喇格反射器,光学传输矩阵理论,Al0.5Ga0.5As/AlAs ,温度变化,反射光谱,电迁移,封装材料,非辐射复合中...
【工作单位】 华南师范大学
【曾工作单位】 华南师范大学;
【所在地域】 广州
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[1]肖瑶;范广涵;皮辉;许毅钦;陈志武;贺龙飞;喻晓鹏;张力;郑树文;张涛;.光散射PC荧光树脂的制备及光学性能[J]光谱学与光谱分析.2014,(12)
[2]张涛;范广涵;许毅钦;肖瑶;皮辉;张力;郑树文;.LED产业应用领域专利竞争格局分析[J]照明工程学报.2014,(06)
[3]喻晓鹏;范广涵;丁彬彬;熊建勇;肖瑶;张涛;郑树文;.Performance improvement of GaN-based light-emitting diode with a p-InAlGaN hole injection layer[J]Chinese Physics B.2014,(02)
[4]郑树文;范广涵;何苗;赵灵智;.W掺杂对β-Ga_2O_3导电性能影响的理论研究[J]物理学报.2014,(05)
[5]郑树文;范广涵;张涛;皮辉;徐开放;.Ga掺杂对纤锌矿TM_(0.125)Zn_(0.875)O(TM=Be,Mg)电子结构和光学能隙的影响[J]物理学报.2014,(08)
[6]郑树文;范广涵;何苗;张涛;.Electronic structures and energy band properties of Be- and S-doped wurtzite ZnO[J]Chinese Physics B.2014,(06)
[7]郑树文;范广涵;皮辉;.β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究[J]功能材料.2014,(12)
[8]陈贵楚;范广涵;.Effect of n-type barrier doping on steady and dynamic performance of InGaN light-emitting diodes[J]Optoelectronics Letters.2014,(04)
[9]张涛;范广涵;许毅钦;贺龙飞;喻晓鹏;熊建勇;.LED封装领域专利技术分析及预警研究[J]照明工程学报.2014,(04)
[10]熊建勇;许毅钦;赵芳;宋晶晶;丁彬彬;郑树文;张涛;范广涵;.Performance enhancement of an InGaN light-emitting diode with an AlGaN/InGaN superlattice electron-blocking layer[J]Chinese Physics B.2013,(10)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]尹以安;李述体;梅霆;范广涵;周天明;.P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
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