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[1]王浩,范广涵,廖常俊.MOCVD生长的动力学模式探讨[J]华南师范大学学报(自然科学版).2003,(02)
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[2]王浩,Joachim F.Woitok,廖常俊,范广涵,刘颂豪,郑树文,李述体,郭志友,孙慧卿,陈贵楚,陈炼辉,吴文光,李华兵.多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合[J]人工晶体学报.2004,(01)
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[3]李述体,范广涵,周天明,孙慧卿,王浩,郑树文,郭志友.退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度的影响[J]华南师范大学学报(自然科学版).2004,(01)
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[4]王浩,廖常俊,范广涵,刘颂豪,郑树文,李述体,郭志友,孙慧卿,陈贵楚,陈炼辉.应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式[J]液晶与显示.2004,(02)
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[5]王浩,范广涵,廖长俊.MOCVD系统生长过程的优化精确控制[J]华南师范大学学报(自然科学版).2004,(02)
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[6]王浩,廖常俊,范广涵,刘颂豪,郑树文,李述体,郭志友,孙慧卿,陈贵楚,陈炼辉,吴文光,李华兵.一个实用的生产用Ⅲ-V族化合物半导体材料Turbo-DiscMOCVD生长模型(英文)[J]人工晶体学报.2004,(04)
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[7]李述体,范广涵,周天明,王浩,孙慧卿,郑树文,郭志友.Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响[J]发光学报.2004,(04)
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[8]李述体,范广涵,周天明,孙慧卿,王浩,郑树文,郭志友.退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响[J]发光学报.2004,(05)
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[9]王浩,范广涵,廖常俊,周天明.应用最小二乘法完善质量流量计的工作曲线[J]仪器仪表学报.2004,(06)
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[10]李述体,范广涵,周天明,郑树文,王浩,郭志友,孙慧卿.掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响[J]半导体学报.2005,(06)
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