陈练辉
【姓名】 陈练辉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体光电子材料与器件研究
【发表文献关键词】 Al组分,GaInP/(AlxGa1-x)InP,发光二极管(LED),光荧光,AlGaInP,多量子阱,LED,掺杂,GaInP,发光效率,量子级联激光器,多量子阱结构,四元系,限制层,双异质结,p...
【工作单位】 华南师范大学
【曾工作单位】 华南师范大学;
【所在地域】 广东广州
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[1]陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析[J]量子电子学报.2003,(05)
[2]刘鲁,范广涵,廖常俊,曹明德,陈贵楚,陈练辉.AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用[J]物理学报.2003,(05)
[3]陈练辉,范广涵,陈贵楚,吴文光,李华兵.GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析[J]华南师范大学学报(自然科学版).2003,(03)
[4]陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响[J]华南师范大学学报(自然科学版).2003,(03)
[5]陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响[J]光子学报.2004,(03)
[6]陈贵楚,范广涵,陈练辉,刘鲁.掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响[J]发光学报.2004,(04)
[7]陈贵楚,范广涵,陈练辉.量子级联激光器调制特性的电路模拟[J]光学学报.2004,(10)
[8]陈练辉,范广涵,孟耀勇,刘桂强.AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱[J]量子电子学报.2004,(06)
[9]吴文光,范广涵,陈贵楚,李华兵,陈练辉.量子级联激光器的电路模型分析[J]量子电子学报.2005,(03)
[10]李华兵,范广涵,陈练辉,吴文光,熊予莹,刘颂豪.Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子[J]量子电子学报.2005,(03)
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