陶孟仙
【姓名】 陶孟仙
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 表面平整度,Si_3N_4薄膜,沉积温度,硅薄膜,氮化,特性分析,薄膜表面,外来原子,轮廓仪,徙动,电子工业出版社,不平整度,原子,单晶硅基片,临界核,吴全德,量子电,膜表面,透光性能,平整度,
【工作单位】 华南师范大学
【曾工作单位】 华南师范大学;
【所在地域】
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[1]陈俊芳,王卫乡,刘颂豪,丁振峰,陶孟仙,任兆杏.氮化硅薄膜表面平整度特性分析[J]华南理工大学学报(自然科学版).1996,(S1)
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