曾绍洪
【姓名】 曾绍洪
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背面Ar+轰击,n-MOSFET,MOSFET,沟道电导,有效迁移率,界面态密度,固定电荷密度,阈值电压,Si界面,固定电荷,沟道,迁移率,栅氧化层,载流,线性区,子迁移率,反型层,外加偏压,离子注入...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]曾绍洪.硫铁矿尾矿用于辅助性胶凝材料的研究[D].华南理工大学.2022
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