王运祥
【姓名】 王运祥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 界面态,固定电荷,硅粒子,快速热氮化,氮化剂,SiO_x,界面反应,高温处理,氨化剂,过剩硅,氮化反应,悬挂键,粒子,氨化,硅膜,二氧化,氮化时间,反应模式,氮化,电荷量,
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】
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[1]陈蒲生，王运祥，王岳.快速热氮化SiO_xN_y薄膜界面氮化反应模型[J]固体电子学研究与进展.1995,(01)
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