田万廷
【姓名】 田万廷
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 PECVD法,界面特性,低温,低温形成,电学特性,介质栅,等离子体增强化学气相淀积,SiO_x,介质膜,反应室,PECVD,底表面,反应气体,电压漂移,衬底温度,禁带,富氮,低温淀积,平带,硅离子,薄...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]陈蒲生,冯文修,王川,王锋,刘小阳,田万廷,曾绍鸿.用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性[J]半导体学报.1997,(10)
[2]陈蒲生,王川,冯文修,王锋,刘小阳,田万廷.PECVD法低温形成新型SiO_xN_y薄膜的界面特性研究[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
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