林丽
【姓名】 林丽
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】
【发表文献关键词】 等效厚度,MMIC,介质膜,X射线,总剂量辐射效应,绝缘体上硅,GaAs,注氧隔离,氮化硅电容,时间依赖介质击穿,评价,斜坡电压,寿命预计,击穿电压,TDDB,质量与可靠性,可靠性,辐照偏置,传输门,...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]何玉娟;师谦;李斌;林丽;张正选;.SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究[J]半导体技术.2006,(05)
[2]黄云,钮利荣,林丽.等效厚度评估GaAs MMIC的Si_3N_4电容可靠性[J]功能材料与器件学报.2004,(04)
[3]黄云,钮利荣,林丽.GaAs MMIC的MIM电容Si_3N_4介质的TDDB评价[J]固体电子学研究与进展.2005,(03)
[4]李斌;林丽;黄云;钮利荣;.GaAs MMIC钝化层介质Si_3N_4的可靠性评价[J]华南理工大学学报(自然科学版).2005,(12)
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