章晓文
【姓名】 章晓文
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体器件可靠性与失效分析工作
【发表文献关键词】 击穿机理,Ⅰ－Ⅴ特性,等离子体增强化学汽相淀积,界面态密度,DLTS,介质膜,陷阱特性,薄膜,俘获截面,SiO_x,PECVD,热电子注入,PECVD法,雪崩热电子注入,等离子体增强化学气相淀积,MI...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]陈蒲生,章晓文,冯文修,张昊,曾绍鸿.雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
[2]章晓文,陈蒲生.DLTS技术研究富氮SiO_xN_y薄介质膜的电学特性[J]半导体技术.1999,(06)
[3]陈蒲生,王锋,冯文修,王川,章晓文.PECVD法制备SiO_xN_y膜Ⅰ—Ⅴ特性和击穿机理的测试分析[J]固体电子学研究与进展.1997,(04)
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