何玉娟
【姓名】 何玉娟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 辐射效应,总剂量,金属-氧化物-半导体场效应晶体管,X射线,总剂量辐射效应,绝缘体上硅,注氧隔离,阈值电压漂移,辐照偏置,器件,传输门,氧化层厚度,氧化层陷阱电荷,辐照实验,埋氧层,先进工艺,辐照源,...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]刘远;李斌;何玉娟;.电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响[J]微电子学.2010,(03)
[2]何玉娟;师谦;李斌;林丽;张正选;.SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究[J]半导体技术.2006,(05)
[3]刘远;恩云飞;李斌;师谦;何玉娟;.先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响[J]半导体技术.2006,(10)
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